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耗盡型 MOSFET 在工業(yè)傳感器、智能變送器中的
應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2020-12-23     來(lái)源:成都方舟微電子有限公司

近年來(lái),耗盡型 MOSFET 日益受到重視,廣泛應(yīng)用于固態(tài)繼電器、“常開(kāi)”開(kāi)關(guān)、線(xiàn)形運(yùn)放、恒流源、恒壓源和開(kāi)關(guān)電源等,涵蓋了家用電器、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、電信設(shè)施和航空航天等領(lǐng)域。

耗盡型 MOSFET 分為兩種類(lèi)型:

N 溝道耗盡型 MOSFET,即:導(dǎo)電溝道為 N 型,參與導(dǎo)電的主要是電子,以及 P 溝道耗盡型 MOSFET,即:導(dǎo)電溝道為 P 型,參與導(dǎo)電的主要是空穴。由于電子的遷移率遠(yuǎn)高于空穴,N 溝道耗盡型 MOSFET 具有更強(qiáng)的電流處理能力,得到了更廣泛地運(yùn)用。

當(dāng)柵極-源極電壓 VGS=0V 時(shí),其導(dǎo)電溝道即已存在,器件處于開(kāi)通狀態(tài)。當(dāng)柵極- 源極電壓 VGSVGS(OFF)(P 溝道),其導(dǎo)電溝道因溝道中的載流子耗盡而消失,器件處于關(guān)斷狀態(tài)。由于在零柵偏時(shí),器件處于導(dǎo)通狀態(tài),因此耗盡型器件又稱(chēng)為“常開(kāi)”(Normally On)器件。圖 1 為 N 溝道耗盡型 MOSFET 的示意圖。

圖 1. N 溝道耗盡型 MOSFET 示意圖


利用耗盡型 MOSFET 的亞閾值特性,我們可以很方便地建立一個(gè)簡(jiǎn)單的電壓調(diào)節(jié)器,具有高電壓調(diào)節(jié)范圍和穩(wěn)定的電壓輸出。也可以組成一個(gè)穩(wěn)定的恒流源。同時(shí), 這種電壓源或電流源具有極佳的抗干擾能力,能有效地抑制瞬態(tài)電壓或浪涌電流。

圖 2. N 溝道耗盡型 MOSFET 組成的高電壓調(diào)節(jié)器示意圖


如圖 2 所示,當(dāng) VDD 增加時(shí),流過(guò)電路的電流 IDS 增加,導(dǎo)致耗盡型 MOSFET 源極電位 VS 升高,即VGS 絕對(duì)值 ∣ VGS ∣ 增加,并引起器件導(dǎo)電溝道變窄,電流增加減緩。在此過(guò)程中負(fù)載RL 兩端的電壓VS 無(wú)限接近器件的關(guān)斷電壓∣VGS(OFF)∣,VS≈∣VGS(OFF)∣,即 VS 鉗位在∣VGS(OFF)∣處,不再隨輸入電壓 VDD 的增加而變化。負(fù)載 RL 流過(guò)的電流 IL (IL = VS / RL)也不隨輸入電壓 VDD 的增加而變化。

VDD 的最大值 VDD,MAX =BVDSX +∣VGS(OFF)∣


其中,BVDSX 為耗盡型 MOSFET 漏源極之間的擊穿電壓。

由此可以看出利用耗盡型 MOSFET 可以組成一個(gè)簡(jiǎn)單穩(wěn)定的高電壓輸入的電壓調(diào)節(jié)器或電流源,同時(shí)具有極佳的瞬態(tài)抑制能力。

利用運(yùn)算放大器或電壓基準(zhǔn)源,可以很容易實(shí)現(xiàn)指定的輸出電壓。

圖 3. 耗盡型 MOSFET 與運(yùn)算放大器組成的電壓源示意圖

如圖 3 所示,Vo 與 Vi 具有如下關(guān)系:

Vo = Vi × ( 1 + R2/R1 )

因此,通過(guò)配置 R2 和 R1 的組合,可以輕松確定負(fù)載的工作電壓 Vs: 

Vs =Vo + ∣VGS(OFF)∣

其中, VGS(OFF)為耗盡型 MOSFET 的關(guān)斷電壓。

傳感器、變送器一般工作在惡劣環(huán)境中,使用耗盡型 MOSFET,不僅實(shí)現(xiàn)高電壓供電,而且還能有效抑制浪涌或瞬態(tài)干擾,保證系統(tǒng)安全、正常工作。

下面,以一款常用的智能變送器為例簡(jiǎn)要說(shuō)明耗盡型 MOSFET 在工業(yè)傳感器、智能變送器中的典型應(yīng)用。

圖 4. 帶 HART 功能的典型智能變送器示意圖

在圖 4 中,可以選用 DMX1072 或 DMS4022 耗盡型 MOSFET,給環(huán)路供電型

4mA~20mA 數(shù)模轉(zhuǎn)換電路 AD421 供電。

DMX1072 采用 SOT-89 封裝,主要參數(shù)為:耗散功率 1W,耐壓 100V,飽和電流大于 0.7A,導(dǎo)通電阻最大值 3Ω,如果直接用在 4mA~20mA 供電環(huán)路中,可支持高達(dá) 24V 的電壓輸入。

DMS4022 采用 SOT-223 封裝,主要參數(shù)為:耗散功率 1.5W,耐壓 400V,飽和電流大于 200mA,導(dǎo)通電阻最大值 25Ω左右。采用 DMS4022,支持高達(dá) 48V 的高電壓輸入,并同時(shí)抑制高達(dá) 400V 的瞬態(tài)浪涌,對(duì)系統(tǒng)實(shí)行有效的過(guò)壓、過(guò)流保護(hù),這對(duì)于諸如工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)、電機(jī)控制、變頻調(diào)速等復(fù)雜電磁環(huán)境的應(yīng)用尤為重要。 汽車(chē)中有許多電機(jī),這些感性負(fù)載可能產(chǎn)生高達(dá) 300V 的電壓瞬態(tài),因此選擇 DMS4022 能有效地防止瞬態(tài)干擾和破壞。

成都方舟微電子有限公司是國(guó)內(nèi)唯一一家專(zhuān)注耗盡型 MOSFET 研發(fā)生產(chǎn)的具有領(lǐng)先技術(shù)的半導(dǎo)體企業(yè),十幾年來(lái),公司以先進(jìn)的專(zhuān)利技術(shù)和豐富的研發(fā)經(jīng)驗(yàn),開(kāi)發(fā)了耗盡型 MOSFET 系列產(chǎn)品,以其豐富的產(chǎn)品線(xiàn)和可靠的品質(zhì),大量應(yīng)用于消費(fèi)電子、家用電器、照明、工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域。同時(shí)公司還以靈活和貼近用戶(hù)的方式,為客戶(hù)開(kāi)發(fā)定制化解決方案,以滿(mǎn)足客戶(hù)的各類(lèi)需求。

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